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Oberflächencharakterisierung von III-V MOCVD-Filmen aus heterozyklischen Single Source Precursoren
(2009-09-03)
Oberflächencharakterisierung von III-V MOCVD-Filmen aus heterozyklischen Single Source Precursoren In vielen mikro- und optoelektronischen Bauteilen finden Antimon-haltige Verbindungshalbleiter Verwendung. Insbesondere ist ...